裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの準備のための、シリコンドーピング選択的エッチングを用いた裏面薄膜化。HNAケミストリー（HF: HNO3: CH3COOH）を用いて、p+/p-選択性の高いp+/p-シリコン遷移層を形成し、サブミクロンの膜厚変化を実現。

こんにちは、私はイウィン・リーです。現在ネクスジェン・ウェーハ・システムズでソフトウェア・リードとして働いているソフトウェア・エンジニアです。ソフトウェア開発、そして半導体業界における効率的なソフトウェア・ソリューションと設計の提供に情熱を注いでいます。