利用硅掺杂选择性蚀刻技术进行背面减薄，以制备背面发光 (BSI) CMOS 传感器。 定制的 HNA 化学（HF：HNO3：CH3COOH）用于停在具有高 p+/p- 选择性的专用 p+/p- 硅过渡层上，提供亚微米级的总厚度变化。

大家好，我是 Iwin Lee，是一名软件工程师，目前在 NexGen Wafer Systems 担任软件主管。 我热衷于软件开发，热衷于为半导体行业提供高效的软件解决方案和设计。